quartz-research-note/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md

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title: 酸化亜鉛系トランジスタ
tags:
- research
- survey
- semiconductor
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**[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
[[スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製]](2013)
ジエチル亜鉛を溶媒で希釈したものをスプレーで吹き付け、常圧、比較的低温(~200度での加熱で成膜
##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
溶液法の説明ある
> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し,最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃400℃500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果500℃で c 軸配向が確認さ れ多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作するとc 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
> ゾルゲル法では,加熱により中間生成物(水酸化物) を経て,酸化物が形成されるため,中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで,最 終焼結条件を空気中 500℃4 時間に固定し,中間乾燥 温度のみを 150℃180℃240℃300℃ と変化させ, 膜の平坦性と抵抗値を測定し,トランジスタを作製し た。その結果,中間乾燥温度が 150℃180℃ では,膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示しX 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず,トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方240℃300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ,トランジスタ動作が確認された。
[[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)
大気中でパルスレーザーで成膜
##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r