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title: 酸化亜鉛系トランジスタ
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- survey
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- semiconductor
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**[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
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[[スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製]](2013)
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ジエチル亜鉛を溶媒で希釈したものをスプレーで吹き付け、常圧、比較的低温（~200度）での加熱で成膜
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##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
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https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
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溶液法の説明ある
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> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
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> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最 終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥 温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃ と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製し た。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。
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[[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)
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大気中でパルスレーザーで成膜
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##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
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https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r |