quartz-research-note/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md

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title: 酸化亜鉛系トランジスタ
tags:
- research
- survey
- semiconductor
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**[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
前駆体溶液の溶媒は2-プロパノール(っていうかこれイソプロピルアルコールか)
[[硝酸亜鉛]]からの生成
[[酢酸亜鉛]]からの方が安心できそう
[[スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製]](2013)
ジエチル亜鉛を溶媒で希釈したものをスプレーで吹き付け、常圧、比較的低温(~200度での加熱で成膜
##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
溶液法の説明ある
> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し,最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃400℃500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果500℃で c 軸配向が確認さ れ多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作するとc 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
> ゾルゲル法では,加熱により中間生成物(水酸化物) を経て,酸化物が形成されるため,中間乾燥工程の温度も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで,最終焼結条件を空気中 500℃4 時間に固定し,中間乾燥温度のみを 150℃180℃240℃300℃と変化させ 膜の平坦性と抵抗値を測定し,トランジスタを作製した。その結果,中間乾燥温度が 150℃180℃ では,膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示しX 線回折 でも c 軸配向した膜は得られずトランジスタ動作も得られないという結果となった。一方240℃300℃ の中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦でc 軸配 向した膜が得られ,トランジスタ動作が確認された。
[[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)
大気中でパルスレーザーで成膜
##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r