tomoyanonymous/quartz-research-note
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[obsidian] vault backup: 2023-08-10 13:41:48[

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Tomoya(obsidian) 2023-08-10 13:41:48 +09:00
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commit 19dead2a24
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content/.obsidian/community-plugins.json vendored
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@ -1,3 +1,4 @@
[
"obsidian-git"
"obsidian-git",
"obsidian-zotero-desktop-connector"
]

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content/酸化亜鉛系トランジスタ.md
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@ -14,8 +14,11 @@ tags:
https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
溶液法の説明ある
> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最 終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥 温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃ と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製し た。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。
##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics