tomoyanonymous/quartz-research-note
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[obsidian] vault backup: 2023-09-25 17:12:00[

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Tomoya(obsidian) 2023-09-25 17:12:00 +09:00
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commit 0f9b0d3a63
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content/スクリーンプリントでのトランジスタ.md
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@ -6,7 +6,7 @@
[Field-Effect Transistors Based on Zinc Oxide Nanoparticles](https://run.unl.pt/bitstream/10362/16391/1/Carvalho_2015.pdf)
> The methods used for preparing ZnO NPs screen-printing paste were based and adapted from the literature.[71] First, the vehicle was prepared by dissolving 5 %wt Ethyl Cellulose 300 cP (C6H7O2 (OC2H5)3; CAS: 9004-57-3) from Aldrich on an 80:20 toluene/ethanol solution (C6H5CH3; CAS: 108-88- 3/ C2H6O; CAS: 64-17-5). After complete dissolution, which takes around 12 hours under stirring at 600 rpm, 0.25, 0.5, 0.75 and 1 g of ZnO nanopowder, <100 nm particle size (CAS: 1314-13-2) from Aldrich were added always in the same amount of vehicle. The solutions should be kept under continuous stirring until their complete dispersion.
##### [Handwritten and sustainable electronic logic circuits with fully **printed** paper **transistors**](https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/admt.202100633)
##### [All-printed large-scale integrated circuits based on organic electrochemical transistors](https://www.nature.com/articles/s41467-019-13079-4)
@ -25,4 +25,4 @@ https://nazology.net/archives/115885
https://pratt.duke.edu/about/news/recyclable-printed-electronics
[Printing ZnO: From Principle to Device](https://core.ac.uk/download/pdf/333574359.pdf)
[Printing ZnO: From Principle to Device](https://core.ac.uk/download/pdf/333574359.pdfx)

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content/酸化亜鉛系トランジスタ.md
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@ -25,7 +25,7 @@ https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
溶液法の説明ある
> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製した。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦でc 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。