[obsidian] vault backup: 2025-02-06 18:37:33

content/酸化亜鉛トランジスタ-サーベイ.md

@@ -0,0 +1,73 @@
+**[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
+
+前駆体溶液の溶媒は2-プロパノール（イソプロピルアルコール）
+
+[[硝酸亜鉛]]からの生成
+
+[[酢酸亜鉛]]からの方が安心できそう
+
+[[スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製]](2013)
+
+ジエチル亜鉛を溶媒で希釈したものをスプレーで吹き付け、常圧、比較的低温（~200度）での加熱で成膜
+
+##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
+
+https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
+
+溶液法の説明ある
+
+> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
+
+> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製した。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦でc 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。
+
+
+[[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)
+
+大気中でパルスレーザーで成膜
+
+
+##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
+
+https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r
+
+##### Effect of the gate electrodes/water interface on the performance of ZnO-based water gate field-effect transistors
+
+https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1369800122005741
+
+##### High-mobility low-temperature ZnO transistors with low-voltage operation(2010)
+
+https://doi.org/10.1063/1.3428357
+
+##### Sub-0.5 V Highly Stable Aqueous Salt Gated Metal Oxide Electronics(2015)
+
+https://www.nature.com/articles/srep13088
+
+ゲートをDI Water、NaCl溶液、KCl溶液とかで比べてる
+
+当たり前だけど直接液体が誘電体に触れちゃダメなのか、うまくZnOのとこにだけ当たるように調整する必要がある
+
+##### Structural and electrical properties of ZnO films prepared by screen printing technique(2005)
+
+https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609000017879
+
+##### Sol–gel-deposited ZnO thin films: A review
+
+https://doi.org/10.1016/j.mseb.2010.07.001
+
+##### Synthesis of ZnO sol–gel thin-films CMOS-Compatible
+
+https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2021/ra/d1ra02241e
+
+##### Fabrication of Flexible Metal Oxide Thin Film Transistor by Indigenously Developed Spray Pyrolysis Unit
+
+https://iopscience.iop.org/article/10.1149/08801.0129ecst/meta
+
+https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/1455/1/012023/pdf
+
+スプレー熱分解だけど前駆体溶液はDI Water、酢酸、メタノールだけ
+
+PVAはむしろDielectricとして使ってる。0.5g/10mlなので50g/1000ml 5wit %
+
+つまり10wit% PVAなら5ml＋DIwater 5mlでいいのかな
+
+蒸着なしでできる方法があればなー