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c42f12c237
@ -24,7 +24,7 @@ https://www.andaquartergetsyoucoffee.com/wp/wp-content/uploads/2009/05/zinc-oxid
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### DIY液状ポリマー誘電デバイス
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### DIY液状ポリマー誘電デバイス
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私は[[Roger Baker]]が説明したような装置を作ろうと時間をかけてきた。彼が説明した装置からの最も大きな変更点は、硫化カドミウムの代わりに酸化亜鉛または酸化亜鉛スズを使用したことである。その他の元記事からの変更点は、ビニールセメントの代わりにHelping Hand Household Adhesiveやその他の液体ポリマーを使用したことと、インジウムのソースとドレインの接点の代わりにカーボンベースの導電性接着剤(Anders Products社 製の「Wire Glue」)を使用したことである。導電性インクや接着剤であれば、フィルムに密着し、適度に低抵抗の接続を作ることができる限り、どのようなものでも機能すると思う。ヘルピング・ハンド接着剤に関する情報は、容器に印刷されているものだけで、アセトン、メチルエチルケトン、フタル酸ジブチルが含まれています。
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私は[[Roger Baker]]が説明したような装置を作ろうと時間をかけてきた。彼が説明した装置からの最も大きな変更点は、硫化カドミウムの代わりに酸化亜鉛または酸化亜鉛スズを使用したことである。その他の元記事からの変更点は、ビニールセメントの代わりにHelping Hand Household Adhesiveやその他の液体ポリマーを使用したことと、インジウムのソースとドレインの接点の代わりにカーボンベースの導電性接着剤(Anders Products社製の「[[Wire Glue]]」)を使用したことである。導電性インクや接着剤であれば、フィルムに密着し、適度に低抵抗の接続を作ることができる限り、どのようなものでも機能すると思う。ヘルピング・ハンド接着剤に関する情報は、容器に印刷されているものだけで、アセトン、メチルエチルケトン、フタル酸ジブチルが含まれています。
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ベイカーが説明したデバイスをモデルにして、上記の部品を使用したデバイスを作ろうとした私の初期の試みは、すべて失敗に終わった。9ページの「テスト回路」セクションにあるテスト回路を使用しても、ゲート電圧を変化させてもデバイスのドレインに流れる電流(Id )に変化が見られないか、さもなければIdの変化は電圧変化の逆数であった(つまり、ゲート電圧を上げるとIdは減少し、その逆は、少なくともデバイスのゲートリーク電流が大きい場合には、抵抗効果と容量効果によって完全に説明できる効果であった)。ある時点で、接着剤のゲート誘電体が完全に乾く前にデバイスの実験を始め、接着剤が完全に硬化する前に 、Idがゲート電圧と同じ方向に変化することを発見しました(つまり、ゲート電圧が増加するとIdが増加し、その逆も同様です)。これは純粋に受動的な抵抗効果や容量効果だけでは説明できず、電界効果の実証であると私は考えている。
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ベイカーが説明したデバイスをモデルにして、上記の部品を使用したデバイスを作ろうとした私の初期の試みは、すべて失敗に終わった。9ページの「テスト回路」セクションにあるテスト回路を使用しても、ゲート電圧を変化させてもデバイスのドレインに流れる電流(Id )に変化が見られないか、さもなければIdの変化は電圧変化の逆数であった(つまり、ゲート電圧を上げるとIdは減少し、その逆は、少なくともデバイスのゲートリーク電流が大きい場合には、抵抗効果と容量効果によって完全に説明できる効果であった)。ある時点で、接着剤のゲート誘電体が完全に乾く前にデバイスの実験を始め、接着剤が完全に硬化する前に 、Idがゲート電圧と同じ方向に変化することを発見しました(つまり、ゲート電圧が増加するとIdが増加し、その逆も同様です)。これは純粋に受動的な抵抗効果や容量効果だけでは説明できず、電界効果の実証であると私は考えている。
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@ -50,4 +50,81 @@ https://www.andaquartergetsyoucoffee.com/wp/wp-content/uploads/2009/05/zinc-oxid
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図7(下)は、このデバイスが示す電界効果が極めて小さいことを示している。ゲート電圧 の96ボルトの変化に対するId の変化は約40nAである。再度、「ゲート抵抗の電圧」トレース を手動でグラフに追加した。このデバイスの感度は小さいが、#0カバー・スリップの厚さは 約0.1mmで、薄膜トランジスタに通常期待される厚さの約1000倍である。他の多くの要因の 中でも、Id は絶縁ソリディエレクトリックゲートFETの誘電体厚さに反比例する。残念なこ とに、カバー・スリップが10倍でも薄ければ、本質的に動作が不可能になるため、このデバ イスの設計はほとんど行き詰まる。しかし、動作に液体誘電体を必要とせずに電界効果を示 す自作デバイスを作ることが可能であることを実証するには十分であった。
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図7(下)は、このデバイスが示す電界効果が極めて小さいことを示している。ゲート電圧 の96ボルトの変化に対するId の変化は約40nAである。再度、「ゲート抵抗の電圧」トレース を手動でグラフに追加した。このデバイスの感度は小さいが、#0カバー・スリップの厚さは 約0.1mmで、薄膜トランジスタに通常期待される厚さの約1000倍である。他の多くの要因の 中でも、Id は絶縁ソリディエレクトリックゲートFETの誘電体厚さに反比例する。残念なこ とに、カバー・スリップが10倍でも薄ければ、本質的に動作が不可能になるため、このデバ イスの設計はほとんど行き詰まる。しかし、動作に液体誘電体を必要とせずに電界効果を示 す自作デバイスを作ることが可能であることを実証するには十分であった。
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図6のデバイスは約4週間前に作られ、それ以来比較的安定している。一般的な酸化亜鉛薄膜 と同様、光、熱、温度、湿気、そしておそらく周囲の空気中の酸素濃度に敏感である。酸化 亜鉛薄膜は持続的な光伝導性を示し、光によって誘起された伝導性が消え去るのに非常に長 い時間がかかる。この特定のデバイスの場合、暗い容器に入れれば、数日のうちにサレイン 抵抗は測定可能なほど低下する。 このデバイスのもう一つの注目すべき点は、実効ゲート抵抗が極めて高いことである。ゲー ト抵抗を100キロ・オームから50メガ・オームに変更したときに液体ゲート・デバイスで観察 されるId の著しい変化とは異なり、このデバイスではゲート抵抗を同じように変更しても、Id の変化は検出できない
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図6のデバイスは約4週間前に作られ、それ以来比較的安定している。一般的な酸化亜鉛薄膜 と同様、光、熱、温度、湿気、そしておそらく周囲の空気中の酸素濃度に敏感である。酸化 亜鉛薄膜は持続的な光伝導性を示し、光によって誘起された伝導性が消え去るのに非常に長 い時間がかかる。この特定のデバイスの場合、暗い容器に入れれば、数日のうちにサレイン 抵抗は測定可能なほど低下する。 このデバイスのもう一つの注目すべき点は、実効ゲート抵抗が極めて高いことである。ゲー ト抵抗を100キロ・オームから50メガ・オームに変更したときに液体ゲート・デバイスで観察 されるId の著しい変化とは異なり、このデバイスではゲート抵抗を同じように変更しても、Id の変化は検出できない。
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### 次にやること
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液体誘電体は遅すぎて面白くないし、長期安定性の問題もある。私には2つの異なるアプローチが有望に見える。ひとつは、酸化しやすい導電性基板をゲートとして使い、酸化膜を誘電体
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として使う方法だ。もうひとつは、非導電性基板上に薄膜を積み重ねる方法である。ゲートに
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非常に導電性の薄膜、誘電体に絶縁性の薄膜、その上に半導体の薄膜、さらにその上にソース
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とドレインのコンタクトを重ねる。
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特に、高濃度にドープされたシリコンやゲルマニウムに熱酸化層を形成する能力があれば、 導電性基板が最も簡単なアプローチだろう。私が見つけたゲルマニウム・ウェーハはどれも 法外に高価で、シリコン上に有用な酸化膜を作るのに必要な1000℃までシリコン・ウェー ハを加熱するのに必要な装置も今のところ持っていない。もしあれば、次はそれを試してみ たい。
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私は、アルミニウム片と電解によって作られた酸化アルミニウムのバリア膜をそれぞれゲート と誘電体として用いてトランジスタを作ろうと何度か試みたことがある。残念ながら、どの試 みも半導体層がアルミニウムと短絡して失敗している。失敗の理由として考えられるのは、ア ルミニウムの膨張係数が酸化アルミニウムの約4倍であることだ。不可能だと完全に確信して いるわけではないが、今のところ私はこのアプローチを断念している。
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私の現在の計画は、薄膜のスタック・アプローチを追求することだ。導電性の高いゲート膜 がすでにある状態から始めることでプロセスを単純化するため、市販のフッ化スズ酸化物( FTO)コートガラスを使いたいと思っている。これで、動作するデバイスを作るために蒸着 しなければならない薄膜は2つだけになる。そのためには、薄膜の品質、特に粗さとピンホー ルのなさを劇的に改善する必要があると思います。そうでなければ、ゲート層と半導体層の 間でショートが発生することなく積層できるとは思えない。
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### 付録:液体誘電体デバイスの製造手順
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以下は、この文書で前述した液体誘電体ベースのデバイスを作るために使用した手順である
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。これは、自家製の酸化亜鉛「薄膜」を使って電界効果を示すことができることを実証する
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ために行われたものであり、良い薄膜の作り方や適切な実験技術などを実証するためのもの
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ではありません。
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酸化亜鉛スズ素子の作製手順は、素子の構造上必要な明らかな変更を加えただけで、基本的
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には同じであった。前駆体溶液は、0.05グラムの塩化スズ(II)と数滴の酢酸を加える以外は、
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酸化亜鉛デバイスのものと同じである。先に報告したように、これはあまり良い酸化亜鉛前駆体ではなく、少なくとも私はまだこれで見栄えの良い膜を作ることができない。
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#### 前駆体溶液の調製
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この溶液は長時間は効果が持続しないようなので(つまり、1日ほど経つと、この溶液からで きたコーティングは連続したフィルムにはならないようだ)、小ロットしか作らないことを お勧めする。
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- 硝酸亜鉛1グラムがフラスコに計量された。
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- 3mlの2プロパノールをフラスコに加えた。
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- フラスコに栓をし、硝酸亜鉛がすべて溶けるまで撹拌した。
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#### スライドの清掃
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これは、スライドを本当にきれいにし、本当に濡れやすくする方法としてはあまり良くない。 もっといい方法がある。
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*過酷な化学薬品を使用しない方法としては、シュウ酸を使用するステップの代わりに、CeO
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粉末の水性懸濁液とペーパーラップを使用して、コーティングする面を手作業で研磨する方
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法がある。ちなみに、スライドのクリーニングを始めたら、コーティングする面を素手で触
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らないこと。*
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- スライドを石鹸と水で洗浄する。
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- 数滴のシュウ酸溶液をスライドに垂らし、表面を拭く。
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- スライドを純水で、次に2プロパノールですすぐ。
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- スライドを扇風機で乾燥させる。
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#### スライドに前駆体溶液を塗布する
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スライド全体に溶液を行き渡らせるこの方法は、特に高品質のフィルムを得ようとする場合、
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あまり効果的な方法ではない。より良い方法は、[[スピンコーター]]を使うことである。完全に機
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能するスピンコーターは、可変速ブラシレス・コンピューター・ファンから作ることができる
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- 硝酸亜鉛/プロパノール前駆体溶液を5滴スライドに滴下した。
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- プラスチックピペット本体を用いて、スライド全体に溶液を行き渡らせた。
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#### スライドを加熱する
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私が見つけたどの論文でも、一般的な方法は、最初にもっと低い温度で溶媒を蒸発させてか ら、高い温度でフィルムを焼くというものだ。しかし、スライドが壊れず、特に高品質のフ ィルムを必要としないのであれば、この工程を省略しても致命的なことにはならない。
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- スライドを、最高温度540℃になっているホットプレートの中央に、コーティングされた面を上にして置く。
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- 30分後、スライドを慎重にホットプレートから外し、冷却する。
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#### ソースとドレインの電気接点と導線を追加する
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*導電性接着剤に含まれる溶剤は酸化亜鉛薄膜を高導電性にするので、溶剤が完全に蒸発する前の測定は一般的に疑わしい。しかし、そうすることがデバイスに何らかの害を及ぼすこともないだろう。*
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- [[Wire Glue]]を使って、スライドの短い長さにわたって、数組の間隔の狭い平行コンタクトをペイントした。
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- 最適なコンタクトのペア(つまり、非接触の間隔が最も小さいペア)を選び、短いワイヤーを造形用粘土で留めて、各ワイヤーの一端が選んだコンタクトの片方にかかる ようにした。ワイヤーを接点に固定するために、さらに[[Wire Glue]]を使用した 。
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- [[Wire Glue]]が乾くまで、スライドは数時間放置された。
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#### フィルムと接点の動作確認
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*紫外線を照射してもデバイスの抵抗値が大きく変化しない場合、デバイスも電界効果を示さない可能性が高い。考えられる原因としては、前駆体溶液が古い、加熱が不十分(純粋な酸化亜鉛膜を作製していると仮定して、膜が白くならない場合、十分な高温に加熱されていな いか、前駆体溶液のいずれかに汚染物質が含まれている)などがある。*
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- オーム計を2つの接点に接続し、読み値を記録した(私のメーターによれば、 事実上無限大)。 ● コイン電池で作動するUV懐中電灯の光を装置に当て、測定値が著しく低下したこと を確認した(ただし、この文書に記載するほど長くは測定値を記録していない)。
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