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content/Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films.md

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+type: "journalArticle"
+author: "Ciolan, Mihai Alexandru; Motrescu, Iuliana"
+title: "Pulsed Laser Ablation: A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films"
+publication: "Applied Sciences"
+date: 2022-01-01
+citekey: ciolanPulsedLaserAblation2022
+tags:
+- research
+- paper
+---
+Ciolan, Mihai Alexandru, とIuliana Motrescu. 2022. 「Pulsed Laser Ablation: A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films」. _Applied Sciences_ 12 (2): 917. [https://doi.org/10.3390/app12020917](https://doi.org/10.3390/app12020917).
+[online](http://zotero.org/users/12014264/items/H4ER2ANH) [local](zotero://select/library/items/H4ER2ANH) [pdf](file:///Users/tomoya/Zotero/storage/FBL3VEQW/Ciolan%20and%20Motrescu%20-%202022%20-%20Pulsed%20Laser%20Ablation%20A%20Facile%20and%20Low-Temperatur.pdf)
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+#subject/pulsed-laser-deposition
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+#subject/zinc-oxide
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content/スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製.md

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+cssclass: research-note
+type: "journalArticle"
+author: "亜貴子, 井手; 稔, 小嶋; 吉野 賢二"
+title: "スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製"
+publication: "宮崎大学工学部紀要"
+date: 2013-01-01
+citekey: YaGuiZiSupureReFenJieFaniyoruSuanHuaYaQianBoMonoDiWenDaQiZuoZhi2013
+tags:
+- research
+- paper
+---
+亜貴子井手, 稔小嶋と吉野 賢二. 2013. 「スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製」. 宮崎大学工学部紀要, no. 42.
+[online](http://zotero.org/users/12014264/items/G5X8U5XE) [local](zotero://select/library/items/G5X8U5XE) [pdf](file:///Users/tomoya/Zotero/storage/8NYFBASD/亜貴子%20et%20al.%20-%202013%20-%20スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製.pdf)
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content/酸化亜鉛系トランジスタ.md

@@ -9,6 +9,10 @@ tags:
 
 **[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
 
+[[スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製]](2013)
+
+ジエチル亜鉛を溶媒で希釈したものをスプレーで吹き付け、常圧、比較的低温（~200度）での加熱で成膜
+
 ##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
 
 https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
@@ -20,6 +24,11 @@ https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
 > ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最 終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥 温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃ と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製し た。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。
 
 
+[[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)
+
+大気中でパルスレーザーで成膜
+
+
 ##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
 
 https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r