diff --git a/content/DIY半導体.md b/content/DIY半導体.md
index 0e09e27a..647d1e3c 100644
--- a/content/DIY半導体.md
+++ b/content/DIY半導体.md
@@ -17,19 +17,7 @@ tags:
 
 ### 金属酸化物
 
-#### 酸化亜鉛
-
- **[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
-
-##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用
-
-https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
-
-溶液法の説明ある
-
-##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
-
-https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r
+[[酸化亜鉛系トランジスタ]]
 
 
 ### 歴史
diff --git a/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md b/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md
new file mode 100644
index 00000000..1075f8a2
--- /dev/null
+++ b/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md
@@ -0,0 +1,23 @@
+---
+title: 酸化亜鉛系トランジスタ
+tags:
+- research
+- survey
+- semiconductor
+---
+
+
+**[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
+
+##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
+
+https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
+
+溶液法の説明ある
+> 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。
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+
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+##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
+
+https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r
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