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Tomoya Matsuura(MacBookPro) 2023-10-21 02:04:02 +09:00
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#semiconductor #research
2023/10/16
PVA+DI Waterの溶液xA,B
AcAc+IPADI Waterの溶液x2C,D
130度で乾燥しながら5回スピンコート、Cは5回目に両面外れて落下して汚れたが継続
230度で10分preheat
540度まで加熱
Aのうち、端っこの白く厚くなっている層を挟むように電極をつけたら、光電効果が確認された
2023/10/17
前日の試料にPVA、DIWater5:5のドロップキャストで誘電体を作る
上から導電テープを貼ろうとしたところ、ソッコーで剥がれて絶縁破壊されてしまった。
ゲート電極は塗料かペーストの方が良かったか?やっぱり
試しに純水液滴をゲートにもしてみたけど、これは漏れ電流が大きすぎてダメっぽい。
DI Waterでも、導電粘着剤のカーボンが水に溶け出してるっぽかった。
この意味でもやっぱ電極はペーストにすべきだったか
---
ついでに、
PVA+DI Waterの溶液で改めてドロップキャストと、改めて厚めのスピンコートを試す
200度で中間乾燥
250→300と中間加熱それぞれ5分程度
540度まで上昇 10分程度でヒーターストップ
やっぱ350度くらいから加熱された黄色のZnOが見えてくるんだよな
UVに当ててみたところ、ドロップキャストは軒並みほとんど反応を見せた。ソースドレイン間隔が広いものだとダメっぽかった
中央部分は反応なし、不均一だった白い部分は反応する
膜自体は結構硬めにできてる(ドライバーなどで傷をつけてもほとんど変化なく)
次の策は電極をペーストで低温硬化させるのをまず試すか

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@ -18,6 +18,8 @@ tags:
[[DIY半導体-実験ート2]] [[DIY半導体-実験ート2]]
[[DIY半導体-実験ート3]]
[[複製するメディアではなく、"刷られた装置"としてのコンピューター - 芸術とデザインの視点からのDIY半導体]] [[複製するメディアではなく、"刷られた装置"としてのコンピューター - 芸術とデザインの視点からのDIY半導体]]
[[実験ベースの科学のフラジャイルさ]] [[実験ベースの科学のフラジャイルさ]]

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@ -4,3 +4,4 @@
アメリカ古典文庫13 [[ジョン・デューイ]]研究社、1975年 に収録、[[明石紀雄]]訳 アメリカ古典文庫13 [[ジョン・デューイ]]研究社、1975年 に収録、[[明石紀雄]]訳
> 最大の障害は、くりかえし述べるが、個人的利益のために科学やテクノロジーを利用しようとするところまで堕ちた古い個人主義が、いつまでも存続していることである。

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@ -45,10 +45,16 @@ https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-023-06565-6
なぜ蜂蜜を誘電体に使おうと思ったのか、、、 なぜ蜂蜜を誘電体に使おうと思ったのか、、、
Sweet Electronics: Honey-Gated Complementary Organic Transistors and Circuits Operating in Air
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202103183
https://phys.org/news/2017-09-honey-cost-effective-non-toxic-substitute-graphene.html
##### Effect of the gate electrodes/water interface on the performance of ZnO-based water gate field-effect transistors ##### Effect of the gate electrodes/water interface on the performance of ZnO-based water gate field-effect transistors
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1369800122005741 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1369800122005741
##### High-mobility low-temperature ZnO transistors with low-voltage operation(2010) ##### High-mobility low-temperature ZnO transistors with low-voltage operation(2010)
https://doi.org/10.1063/1.3428357 https://doi.org/10.1063/1.3428357