From 3185e7eb163eae7bd677149e5513c368a90c3ef2 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: "Tomoya Matsuura(MacBookPro)" Date: Mon, 14 Aug 2023 16:45:11 +0900 Subject: [PATCH] [obsidian] vault backup: 2023-08-14 16:45:11[ --- content/Homemade Thin-Film Transistor Experiments.md | 1 + content/点接触トランジスタ.md | 1 + content/酢酸亜鉛.md | 11 +++++++++++ content/酸化亜鉛系トランジスタ.md | 4 +++- 4 files changed, 16 insertions(+), 1 deletion(-) diff --git a/content/Homemade Thin-Film Transistor Experiments.md b/content/Homemade Thin-Film Transistor Experiments.md index 98351e71..a2b71594 100644 --- a/content/Homemade Thin-Film Transistor Experiments.md +++ b/content/Homemade Thin-Film Transistor Experiments.md @@ -164,6 +164,7 @@ https://www.andaquartergetsyoucoffee.com/wp/wp-content/uploads/2009/05/zinc-oxid ## Episode 2 https://web.archive.org/web/20120113013520/http://www.andaquartergetsyoucoffee.com/wp/wp-content/uploads/2009/06/zinc-oxide-experiments-ii.pdf + ### 固体誘電体の進歩 私は、フッ化スズ酸化物（FTO）でコーティングされたガラスの上に妥当と思われる酸化リン酸アルミニウム（AlPO）皮膜を生成する前駆体溶液を何とかこしらえた。2つの問題が発生したが、1つは小さなもので、もう1つは重大なものである。 diff --git a/content/点接触トランジスタ.md b/content/点接触トランジスタ.md index 7fcf6546..0342dac3 100644 --- a/content/点接触トランジスタ.md +++ b/content/点接触トランジスタ.md @@ -1,4 +1,5 @@ --- +title: 点接触トランジスタ tags: - semiconductor - survey diff --git a/content/酢酸亜鉛.md b/content/酢酸亜鉛.md index c8236bf7..c819b406 100644 --- a/content/酢酸亜鉛.md +++ b/content/酢酸亜鉛.md @@ -21,6 +21,8 @@ tags: 10%希塩酸：2.87mol/L 炭酸ナトリウム：106g/mol 炭酸水素ナトリウム 84.007 g/mol +氷酢酸 60.052 g/mol + 亜鉛2gとすると 2/65.38 = 0.0305903946mol 塩酸の量は 2x2.87 x(2/65.38) = 0.175588865 L @@ -40,6 +42,15 @@ tags: 2* 84.007(g/mol) / 0.5/65.38 (mol) = 0.64245182g +60.052 x 0.5 / 65.38 + +ざっくり0.5gか + +[水蒸気雰囲気中での酢酸亜鉛の熱分解による酸化亜鉛の低温合成](https://www.jstage.jst.go.jp/article/jscta1974/31/3/31_3_151/_article/-char/ja/) + +> 乾燥ガス雰囲気下における酢酸亜鉛無水和物の熱プロセスは, 180℃付 近からの昇華で開始し, 熱分解は250℃での融解と同時に開始する。SCTG条件下では, 試料の融解は観測されず, 180℃付近での昇華反応のみで完結する。 高濃度の水蒸気雰囲気下での熱プロセスは, 乾燥ガス雰囲気中での反応とは大きく異なり, 250℃以下で結晶性ZnOを容易に生成させることができる。ZnOの生成は, 水蒸気濃度の増加に伴って促進され低温域にシフトする。 + +[酸化亜鉛薄膜の製造方法](https://patents.google.com/patent/JP5288464B2/ja) diff --git a/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md b/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md index 59cd946e..c573d5c7 100644 --- a/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md +++ b/content/酸化亜鉛系トランジスタ.md @@ -9,6 +9,8 @@ tags: **[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]** +前駆体溶液の溶媒は2-プロパノール + [[硝酸亜鉛]]からの生成 [[酢酸亜鉛]]からの方が安心できそう @@ -25,7 +27,7 @@ https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja > 酢酸亜鉛とモノエタノ ールアミンを 2-メトキシエタノールに溶かした亜鉛濃度 0.3 mol/L のものを前駆体溶液とし使い酸化亜鉛薄膜を 形成した。前駆体溶液をガラス基板上にスピンコート塗布と中間乾燥を繰り返し，最終焼結を経て成膜が完了する。最終焼結温度を 300℃，400℃，500℃ と変化させて X 線回折測定を行った結果，500℃で c 軸配向が確認さ れ，多結晶膜が形成されていることが分かった。続けてトランジスタを試作すると，c 軸配向が得られた場合に限りトランジスタ動作が確認された。 -> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最 終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥 温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃ と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製し た。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。 +> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製した。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦でc 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。 [[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)