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content/酸化亜鉛系トランジスタ.md

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 **[[Homemade Thin-Film Transistor Experiments]]**
 
+[[スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製]](2013)
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+ジエチル亜鉛を溶媒で希釈したものをスプレーで吹き付け、常圧、比較的低温（~200度）での加熱で成膜
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 ##### 酸化亜鉛薄膜の形成と物性・デバイス応用(2019)
 
 https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
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 > ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最 終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥 温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃ と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製し た。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。
 
 
+[[Pulsed Laser Ablation - A Facile and Low-Temperature Fabrication of Highly Oriented n-Type Zinc Oxide Thin Films]](2022)
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+大気中でパルスレーザーで成膜
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 ##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
 
 https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r