tomoyanonymous/quartz-research-note
1
0
Fork 0
Code Issues Pull Requests Actions 1 Packages Projects Releases Wiki Activity

[obsidian] vault backup: 2023-08-10 14:01:47[

Browse Source
This commit is contained in:
Tomoya(obsidian)
2023-08-10 14:01:47 +09:00
parent d5d55cd5df
commit 7b94525de4
8 changed files with 113 additions and 10 deletions
Download Patch File Download Diff File Expand all files Collapse all files

1
content/酸化亜鉛系トランジスタ.md
View File

@@ -20,7 +20,6 @@ https://www.jstage.jst.go.jp/article/vss/62/7/62_20180376/_pdf/-char/ja
> ゾルゲル法では，加熱により中間生成物（水酸化物） を経て，酸化物が形成されるため，中間乾燥工程の温度 も膜質に大きな影響を与えると予想される。そこで，最 終焼結条件を空気中 500℃，4 時間に固定し，中間乾燥 温度のみを 150℃，180℃，240℃，300℃ と変化させ， 膜の平坦性と抵抗値を測定し，トランジスタを作製し た。その結果，中間乾燥温度が 150℃，180℃ では，膜 の二乗平均粗さが 5 nm を超える粗さを示し，X 線回折 でも c 軸配向した膜は得られず，トランジスタ動作も得 られないという結果となった。一方，240℃，300℃ の 中間乾燥を経た膜では粗さが 1 nm 程度と平坦で c 軸配 向した膜が得られ，トランジスタ動作が確認された。
##### Direct Light Pattern Integration of Low-Temperature Solution-Processed All-Oxide Flexible Electronics
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nn504420r